ノーベル賞を先取り「知的財産特別貢献賞」

 科学技術振興機構(JST)は2月25日、第2回「知的財産特別貢献賞」を発表し、東京工業大学フロンティア研究機構の細野秀雄教授(61)が受賞した。「高精細ディスプレイに適した酸化物半導体の発明」が受賞理由。2011年の第1回受賞者は、昨年ノーベル物理学賞を受賞した名城大学大学院理工学研究科の赤﨑勇終身教授であり、ノーベル賞の先取りとも言われている。
 細野教授は1995年に透明アモルファス酸化物半導体の設計指針を提唱し、実際にIn-Ga-Zn-O(インジウム・ガリウム・亜鉛からなる酸化物、頭文字をとってIGZO)を用いた薄膜トランジスタを作成した。各社が次世代ディスプレイとして開発に取り組み、わずか10年ほどでスマートフォンの画面として実用化された。
 受賞挨拶の中で、「研究は権力に媚びない強い志が必要」。「自分たちの技術が世の中に貢献していることを示すことは、若い大学院生や学生を元気づける」と語った。

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